本设备用于ALN、SiC单晶生长 。

设备特点：

采用PVD法生长单晶。带坩埚升降机构，多路测温。

技术指标:

1、  工作腔φ650×500 mm

2、  最高工作温度～2400℃

3、  极限真空度<8× 10^-5Pa

4、  加热功率～120KW